什么是压阻式LD平台（中国），压阻式LD平台（中国）工作原理

压阻式LD平台（中国）是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的LD平台（中国）。传感器使用单晶硅片作为弹性元件。在单晶硅晶片上使用集成电路工艺，将一组等效电阻扩散到单晶硅的特定方向。电阻器连接到电桥中，单晶硅晶片放置在传感器腔中。当压力发生变化时，单晶硅应变，使应变电阻直接扩散到其上产生与测量压力成比例的变化，电桥电路得到相应的电压输出信号。

压阻式LD平台（中国）通过集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上，形成硅压阻芯片。芯片外围固定封装在外壳中，以引出电极引线。压阻式LD平台（中国）也称为固态LD平台（中国）。它不同于粘性应变片，需要通过弹性敏感元件间接感受外力，而是通过硅隔膜直接感受实测压力。

压阻式LD平台（中国）工作原理：

压阻效应用于描述机械应力产生的材料的电阻变化。与压电效应不同，压阻效应只产生阻抗变化，不产生电荷。大多数金属材料和半导体材料都具有压阻效应。由于硅是当今集成电路中的主要材料，因此由硅制成的压阻元件的应用变得非常有意义。电阻的变化不仅是由于与应力有关的几何变形，而且是由于材料的电阻与应力有关，这使得度数因数比金属大几倍。

单晶硅材料在压力下改变其电阻率。通过测量电路获得与压力变化成比例的输出电信号。压阻式LD平台（中国）用于测量和控制压力、张力、压差和其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空），这些物理量可以转换为力的变化。

当力作用在硅晶体上时，晶体的晶格变形，导致载流子从一个能谷散射到另一个能谷，从而导致载流子迁移率的变化。这种变化在纵向和横向上干扰载流子的平均数量，从而改变硅的电阻率。

这种变化随晶体的取向而变化，因此硅压阻效应与晶体取向有关。硅压阻效应不同于金属应变片。前者的电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化;后者的电阻变化主要取决于几何尺寸的变化，前者的灵敏度比后者大50至100倍。